2017年6月，北京市未来芯片技术高精尖创新中心的杨华中教授团队（电子系）在日本京都举办的2017 Symposia on VLSI Technology and Circuits （简称2017VLSI国际研讨会）发表了两篇关于非易失计算芯片的学术论文。VLSI国际研讨会始于1987年，至今已有30年历史，是国际半导体与集成电路领域的顶级会议。VLSI国际研讨会只接收极具应用前景的创新性研究成果，Intel、IBM等公司的许多核心技术大都选择在VLSI国际研讨会上首次披露。本次会议上，IBM就首次披露了5纳米集成电路制造工艺。该团队在VLSI上详细介绍了在非易失计算芯片领域取得的最新进展，这标志着清华大学在该领域的研究已达到世界领先水准。

　　第一篇学术论文题为“A 130nm FeRAM-Based Parallel Recovery Nonvolatile SOC for Normally-OFF Operations with 3.9× Faster Running Speed and 11× Higher Energy Efficiency Using Fast Power-On Detection and Nonvolatile Radio Controller”，第一作者为中心优秀博士生（电子系）王智博。该论文提出“非易失片上系统（NVSOC）”，由清华大学刘勇攀副教授团队与日本罗姆公司合作完成，是迄今为止集成度最高的非易失计算芯片。该芯片通过集成快速唤醒、自适应电源模式切换、非易失外设控制器等电路技术，大幅提升了非易失计算芯片在物联网应用中的运行速度和能量效率。相比上一代非易失计算芯片，NVSOC将系统级启动速度提升了3.9倍，同时取得了11倍的能量效率提升。该工作将加速非易失计算芯片在物联网、健康监测、智能安防等领域中的大规模应用。该工作在京都ROHM公司进行了新闻发布会，同时被日本的Nikkei Electronics杂志进行了专访。　　▲刘勇攀副教授在2017 VLSI国际研讨会上的报告现场　　第二篇学术论文题为“A 462GOPs/J RRAM-Based Nonvolatile Intelligent Processor for Energy Harvesting IoE System Featuring Nonvolatile Logics and Processing-In-Memory”，第一作者为电子系博士生苏放，共同作者包括刘勇攀、汪玉和杨华中教授。该论文提出了基于忆阻器的非易失智能处理器芯片。该非易失智能处理器从物联网和人工智能时代的需求出发，基于该团队长期积累的非易失技术，采用通用处理器/超冯诺依曼混合架构，并充分利用了新兴器件–忆阻器的优良特性。该芯片具有待机功耗低、能量效率高的突出特点，有望解决物联网终端智能设备中能量预算和计算复杂度之间的矛盾。　　▲非易失智能处理器的显微照片和技术指标　　6月19日，刘勇攀副教授在第54届设计自动化会议DAC上又获得“40岁以下杰出创新人才”奖项。设计自动化会议是集成电路和电子设计自动化研究领域最具有影响力的国际学术会议，今年大会约有五千余人参加。2017年首届“40岁以下杰出人才”奖项旨在表彰在电子设计自动化领域中具有杰出贡献的青年创新人才，全球每年仅有5名极具创新精神的科技工作者获得该奖项。凭借其在非易失处理器领域的开创性贡献，刘勇攀副教授首次在DAC上获得突破，获得本项奖励，也是目前获得该奖项的唯一华人。一同获此殊荣的包括IBM Truenorth芯片的项目经理，美国Cadence公司研发部副总裁等。DAC会议期间，在美国EE Times的主编Dylan McGrath主持下，5位获奖者进行了“40岁以下杰出人才眼中的设计自动化机遇与挑战”的专题访谈。　　▲刘勇攀在第54届设计自动化会议上获得“40岁以下杰出创新人才”奖项

原发布时间：2017-7-11 16:09:59